Application -Systeme est agréé centre de formation professionnel

Les thèmes de formation est la durée peuvent être réalisés sur mesure en fonction de vos besoins et de vos problématiques, n’hésitez pas à nous consulter pour un devis personnalisé. Le nombre de participants n’est pas limité.

Méthodes et moyens pédagogiques mises en place :

Support papier.
Exercices pratique sur équipement.
Conseil et approche pédagogique.

Exemple 1 : Fonctionnement global des systèmes d’évaporation sous vide

Information sur le vide pour l’ensemble du personnel (opérateurs et techniciens) : 1/2 journée.
Vue des sous-ensembles du système et de leurs fonctionnements. Formation d’une demi-journée pour les opérateurs et d’une demi-journée pour les techniciens : 1 jour.
Mise en situation des différentes équipes sur l’utilisation du système et c’est différents points de contrôle. Formation d’une demi-journée pour les opérateurs et d’une journée pour les techniciens : 1,5 jours.

Exemple 2 : Aide à la mise en place d’une structure de maintenance préventive

Informations générales sur les critères de mis en place d’une maintenance préventive. Pour l’ensemble du personnel (opérateurs et techniciens) : ½ journée.
- Information générale sur la maintenance préventive.
- Définition des différents niveaux de maintenance.
- Définition des différents groupes d’acteurs et de l’importance de leurs taches.
- Consigne générale de sécurités.
Définition et mise en situation sur les différentes taches de maintenance à accomplir : Opérateurs ½ journée / Techniciens 3 jours.
- Analyse de l’environnement du système.
- Analyse des points critique du système.
- Mise en situation sur les différentes tâches à accomplir, durant la maintenance préventive.

Trouver ici quelques réponses à des problématiques connues

Principes du dépôt sous vide ?

Ce sont principalement des revêtements de faibles épaisseurs pulvérisée sous forme gazeuse(quelques microns) généralement durs et plutôt stables chimiquement.

Ils sont déposés sur d’autres métaux mais également sur des polymères, des céramiques, du verre, et des matériaux composites.

Deux familles de techniques, très courantes, sont utilisées pour la réalisation de ces dépôts :
La pulvérisation cathodique ou l’évaporation par canon à électrons, sont utilisées dans les industries électroniques et optiques et permettent d’effectuer des dépôts de couches isolantes mais aussi de couches métalliques (aluminium, tungstène, titane, chrome, etc…) qui interviendront pour la réalisation de couches d’interconnexion dans les dispositifs intégrés mais aussi en traitement de surface pour améliorer les propriétés de frottement, d’usure, de résistance à l’oxydation des composants.

Principes de l'évaporation ?

Dépôt physique en phase vapeur. PVD (Physical Vapor Deposition).

Est un ensemble de méthodes de dépôt de couches minces passant par un milieu passif (vide ou atmosphère inerte) ou actif (plasma, gaz réactif).

L’évaporation sous vide
La pulvérisation cathodique
L’évaporation par faisceau d’électron en phase vapeur
Le dépôt par arc électrique

Les électrons sont créés par effet thermoélectrique (chauffage d’un filament) et leur trajectoire est focalisée grâce à l’action conjuguée d’une différence de potentiel électrique et d’un champ magnétique.

Ce dernier incurve la trajectoire du faisceau pour focaliser celui-ci sur la cible. La figure suivante montre de façon simplifiée le principe de cette technique.

Notons qu’afin d’améliorer l’homogénéité des couches déposées, il est souhaitable de déplacer en permanence les substrats. Sur le schéma, on peut remarquer que le porte substrat est tournant.

PVD 1 PVD 2 PVD 3

Méthode par Pulvérisation

La pulvérisation cathodique consiste à bombarder une cible par des atomes lourd et inertes d’un gaz (tel que l’argon) qui sont ionisés pour former un plasma et a arracher des atomes et des molécules de la cible afin de les envoyer se déposer sur le substrat.

Dépôt chimique en phase vapeur. PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition).

Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d’un état gazeux de quelques dizaines de nanomètres à plusieurs micromètres d’épaisseur sur un substrat.
Pour le CVD (PECVD) à base de plasma, les molécules de gaz se dissocient sous l’influence du plasma. Elles réagissent ensuite au matériau de la couche pour se déposer sur le substrat.

(Un plasma est un gaz dans lequel un pourcentage important d’atomes ou de molécules sont ionisés)

Le dépôt par plasma est souvent utilisé dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs pour déposer des films sur des plaquettes possédant une ou plusieurs couches métalliques ou d’autres structures sensibles à la température

Spécification Equipements PECVD

Exemple de Procédé.
- Températures de dépôt : 300 °C
- Gaz utilisés : N2, N2O, NH3, SiH4
- Fréquence et Puissance des générateurs RF :
- Basse Fréquence : 380 KHz , P :300 W
- Hyper Fréquence : 13.56 MHz , P :20 W

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